半導體大師 施敏獲終身成就獎


圖說:半導體大師施敏博士 (Dr. Simon Sze )榮獲國際「快閃記憶體高峰會」(Flash Memory Summit) 頒發「終身成就獎」。(照片來源 : 產業人物Wa-People )

■文:Wa-People/王麗娟Janet Wang
■圖:Wa-People/李慧臻Jane Lee

半導體大師施敏博士 (Dr. Simon Sze ) 榮獲全球記憶儲存領域最權威之國際性會議「快閃記憶體高峰會」(Flash Memory Summit) 頒發「終身成就獎」,表彰他於1967年發明「浮閘記憶體」(Floating Gate),為人類帶來的巨大貢獻。頒獎典禮將在今(2014)年八月於美國舉行。

「快閃記憶體高峰會」(簡稱 FMS) 隨著快閃記憶體的應用普及,已成為最具權威的產業盛事之一。過去三年,該高峰會分別頒發「快閃記憶體高峰會獎」( FMS Award) 給Intel團隊、SanDisk創辦人之一Eli Harari以及日本的Fujio Masuoka博士,表彰他們在發明與製造上的表現。

施敏博士於1967年發明的「浮閘記憶體」(Floating Gate),是包括Flash Memory 在內所有可程式化非揮發性記憶體的基礎。因此,「快閃記憶體高峰會」今年決定,頒發象徵最高榮譽的「終身成就獎」(Lifetime Achievement Award),以肯定施敏博士的發明所帶來的卓越貢獻。

三月間,「快閃記憶體高峰會」主席 Thomas Coughlin及FMS Award評選委員會主席 Jay Kramer親函施敏博士,邀請他親自出席即將於八月舉行的頒獎典禮。本月24日,交通大學也發出新聞稿,宣布這項好消息。

花數年時間寫成「施敏與數位時代的故事」一書的作者王麗娟指出,她從開始採訪半導體產業新聞起,就不斷聽到「施敏」這個名字。直到有一天參觀了一場「施敏」特展,才深刻體會到這位大師的偉大。

王麗娟強調,施敏博士對半導體產業的重要貢獻有四,分別是發明、著作、人才培育,以及產業政策。

施敏1967年發明「浮閘記憶體」(Floating Gate) 後,1984年日本的Fujio Masuoka博士在浮閘記憶體的架構上加了抹除閘,成為快閃記憶體 (Flsah Memory)。1989年Nokia開始將Flash Memory用於手機、1995年Kodak則率先將之用於數位相機,從此市場上各式各樣的應用不斷推出,啟動了靈巧、省電、行動化的數位生活。

著作方面,施敏在33歲(1969年)時,以英文寫成一本八百多頁的「半導體元件物理學」(Physics of Semiconductor Devices),那是當時全球最早、最詳盡的半導體教科書。發行後隨後被翻譯成六國語言,光計算正版數量,全球就超過150萬冊。該本書籍第二、三版分別於1981年及2007年發行,讀者幾乎涵蓋所有半導體人士。

很多人以為「施敏」既是交大前校長張俊彥的老師,又是台積電董事長張忠謀於史丹福大學博士班的學長,年紀應該很大。事實上,生於民國二十五年的施敏,比張忠謀還年輕五歲。


圖說:無論是讀過他寫的教科書,或是上過他的課,親炙施敏博士大師風範對很多人而言,是很珍貴的經驗,圖為他與閎康科技的主管們偶遇合影。

施敏曾任總統府前資政孫運璿先生的個人顧問,在引進美國半導體技術時,給予很多關鍵的建議。因此在1999年9月1日工研院電子所25週年慶時,孫運璿特別於致詞中感謝施敏,肯定他對於產業政策的貢獻。

從小學到大學,施敏在台灣接受完整的養成教育。台大畢業後,施敏到美國攻讀碩、博士學位,之後進入當時研發資源最豐沛的貝爾實驗室(Bell Labs)任職27年。期間他曾5次留職停薪返台任教,學生包括交大前校長張俊彥、空中大學前校長陳龍英、鈺創董事長盧超群、台積電副總經理暨技術長孫元成,以及交通大學副校長謝漢萍等人。1990年退休後,施敏婉辭許多學校邀約,選擇回到台灣,於交通大學任教至今。



留言