破記錄 蝕刻設備出貨逾5千

圖說:應用材料發布全新蝕刻系統Sym3 Y, 能用於 3D NAND、DRAM 與代工邏輯節點的關鍵導體蝕刻應用,已出貨5,000 個 Sym3 反應室,是該公司史上量產最快速的產品。應用材料公司宣布,在 Centris Sym3 蝕刻產品系列中加入一項新產品,能幫助晶片製造商精準圖形化,在尖端記憶體晶片與邏輯晶片中打造出尺寸體積更小的功能。

圖說:應用材料發布全新蝕刻系統Sym3 Y, 能用於 3D NAND、DRAM 與代工邏輯節點的關鍵導體蝕刻應用,已出貨5,000 個 Sym3 反應室,是該公司史上量產最快速的產品。應用材料公司宣布,在 Centris Sym3 蝕刻產品系列中加入一項新產品,能幫助晶片製造商精準圖形化,在尖端記憶體晶片與邏輯晶片中打造出尺寸體積更小的功能。 

全新的 Centris Sym3 Y 是應材最尖端的導體材料蝕刻系統,運用創新的射頻脈衝技術,依據客戶需求提供非常高的材料選擇比、深度控制與輪廓控制,在 3D NAND、DRAM 與邏輯晶片中打造出最密堆疊的高深寬比結構,包括 FinFET (鰭式電晶體) 和新型的閘極全環 (gate-all-around) 架構。 

其中Sym3 產品系列具有一項獨特的技術特色是高傳導反應室架構,能快速且有效地清空蝕刻副產物,這些副產物會隨著每片晶圓通過時逐漸累積。Sym3 Y 系統延伸這項成功的架構的優勢,運用專用的全新塗層材料來保護反應室關鍵的元件,進而減少缺陷,提升良率。Sym3 蝕刻系統自 2015 年推出以來,已成為應材史上量產最快速的產品,公司才剛出貨第 5,000 個反應室。 

Sym3 產品系列是應材策略成功的關鍵,提供客戶打造與材料圖形化的新方法,協助推出新穎 的3D 結構,以及持續微縮2D結構的新方法。應材運用獨特的 CVD 圖形化薄膜,與Sym3 系統進行共同最佳化,促進客戶增加 3D NAND 記憶體元件中的層數,並減少四重圖形化在DRAM應用層所需的步驟。並結合應材的尖端電子束檢測技術一同佈署應用,希望加速業界最先進節點的研發及高產能的生產,協助客戶改善晶片功率、性能、面積成本及上市時間 (PPACt)。 

應用材料公司副總裁暨半導體產品事業群總經理慕肯德‧斯林尼凡森 (Mukund Srinivasan) 博士表示:「在2015 年推出 Sym3 系統時,應材以新策略重新打造導體材料蝕刻,解決了蝕刻在 3D NAND 與DRAM最為棘手的蝕刻挑戰。現今,我們在最先進的記憶體和代工邏輯節點中,看見關鍵蝕刻與EUV圖形化應用都有強大的發展動能與成長,我們也會持續提高標準,協助推動新一代的晶片設計。」 

每組 Sym3 Y 系統都包含多個蝕刻與電漿清洗晶圓製程反應室,由系統智能管控,確保製程中所有反應室都精準吻合,能持續得到相同成果和高產能。這項全新系統已為全球多家領先的 NAND、DRAM 與代工邏輯客戶所採用。

 




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