英飛淩推CoolSiC MOSFET 評估平台

圖說:英飛淩推CoolSiC MOSFET 模組化評估平台,該主板設計的最高電壓為800V,最大脈衝電流為130A。如要測量到最高175°C的溫度,可將散熱器搭配加熱元件使用。

圖說:英飛淩推CoolSiC MOSFET 模組化評估平台,該主板設計的最高電壓為800V,最大脈衝電流為130A。如要測量到最高175°C的溫度,可將散熱器搭配加熱元件使用。

雙脈衝測試是設計人員要瞭解功率裝置切換特性的標準程序。為方便測試1200 V CoolSiC MOSFET採用 TO247 3 針腳和 4 針腳封裝的驅動選項,英飛凌推出模組化評估平台,其核心包含一個主板與可互換的驅動器卡板,驅動器選項包括米勒鉗制和雙極供電卡;其他版本將於近期內推出。該產品系列有助於推動碳化矽成為主流,縮短多種應用的上市時程。

評估平台的主板分為一次側和二次側兩個區塊。一次側含 12 V 供電及脈衝寬度調變 (PWM);二次側為驅動器的第二供電來源,以及包含用於測量電流和外部電感分流連接的半橋。驅動器的正操作電壓調整範圍介於 +7.5 至 +20 V之間,負電壓介於 +1 V 至 -4.5 V。主板設計的最高電壓為 800 V,最大脈衝電流為 130 A。如要測量到最高 175°C 的溫度,可將散熱器搭配加熱元件使用。

驅動器卡板採用 EiceDRIVER 系列的驅動器 IC,適合 SiC 功率裝置的高頻切換,可提供兩種驅動器選項的參考設計。第一個模組化驅動器卡板內含 1EDC Compact 1EDC20I12MH,整合主動米勒鉗制,啟動電壓通常低於 2 V。第二個驅動器卡板內含 1EDC Compact 1EDC60H12AH,可提供雙極供電,VCC2 為 +15 V,GND2 為負電壓。本產品系列新添這兩款驅動器卡板後,將涵蓋設計人員在設計 SiC MOSFET 驅動時偏好使用的絕大多數選項。

模組化評估平台的三項元件 – 主板、米勒鉗制及雙極驅動器卡板已開放訂購。本產品系列將在 2020 年夏季再添一款用於偵測短路的驅動器卡板。此外,今年下半年也預計推出用於 SMD 封裝測試的驅動器卡板




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